Новый метод интеграции GaN-транзисторов в кремниевые чипы: прорыв в производстве электроники

Полупроводниковый материал нитрид галлия (GaN) может стать основой для будущих высокоскоростных систем связи и мощной электроники, используемой в центрах обработки данных. Однако его высокая стоимость и сложность внедрения ограничивают его применение в коммерческих проектах.

Учёные из Массачусетского технологического института разработали новый способ, который позволяет добавлять GaN-транзисторы в обычные кремниевые чипы с минимальными затратами и без больших изменений в производстве. Этот метод включает создание множества маленьких транзисторов из GaN на поверхности чипа, вырезание каждого из них и соединение с кремниевым чипом с помощью низкотемпературного процесса, сохраняющего свойства обоих материалов.

Благодаря этому, устройства с GaN-транзисторами становятся более производительными и могут работать быстрее. Кроме того, разделение схемы из GaN на отдельные транзисторы позволяет снизить общую температуру системы.

Исследователи уже применили этот метод для создания усилителя мощности, важного компонента мобильных телефонов. Это устройство передаёт сигнал сильнее и эффективнее, чем обычные усилители с кремниевыми транзисторами. В результате улучшается качество связи, увеличивается пропускная способность сети, улучшается подключение и продлевается срок службы батареи смартфона.